メニュー
検索
全文検索
詳細検索
絞り込み条件
絞り込み
研究期間 (年度)
-
検索結果: 4件 / 研究者番号: 90550327
表示件数:
20
50
100
200
500
適合度
研究開始日: 新しい順
研究開始日: 古い順
配分額合計: 多い順
配分額合計: 少ない順
1.
テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発
研究課題
レコードセット
科学研究費助成事業
ファンディング機関
科学研究費助成事業
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
東京理科大学
研究代表者
藤代 博記
東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 教授
研究期間 (年度)
2016-04-01 – 2019-03-31
終了
キーワード
テラヘルツ領域
/
高電子移動度トランジスタ
/
HEMT
/
InGaSb
/
電子有効質量
/
格子歪
/
電子移動度
/
遮断周波数
/
極限性能トランジスタ
/
InSb
/
ラフネス散乱
/
量子補正モンテカルロシミュレーション
/
電子デバイス・機器
/
テラヘルツ/赤外材料・素子
/
低消費電力・高エネルギー密度
/
電子・電気材料
研究成果の概要
電子有効質量me*の最適設計により、界面ラフネス散乱の影響を抑えながら高い電子移動度μeと高い電子濃度Nsを同時に実現するGaInSb量子井戸QWチャネルを作製し、HEMTを試作した。
...
2.
Sb系希薄窒化物半導体の物性解明と高輝度遠赤外線発光素子の創製
研究課題
レコードセット
科学研究費助成事業
ファンディング機関
科学研究費助成事業
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
東京電機大学
(2017)
東京理科大学
(2015-2016)
研究代表者
藤川 紗千恵
東京電機大学, 工学部, 助教
研究期間 (年度)
2015-04-01 – 2018-03-31
終了
キーワード
ナローバンドギャップ
/
希薄窒化物半導体
/
Ⅲ-Ⅴ族半導体
/
遠赤外
/
MOCVD
/
InSbN
/
LED
研究成果の概要
本研究では、Ⅲ-V半導体の中で最もエネルギーバンドギャップの小さいInSbに窒素を導入したInSbN希薄窒化物半導体を作製するために、有機金属気相成長法を用いて、GaAs(001)基板上InSbN膜を作製した。材料であるアンモニアの流量を変化させることにより、X線回折の2θ-ω測定において、スペクト
...
3.
Si基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外LEDの研究
研究課題
レコードセット
科学研究費助成事業
ファンディング機関
科学研究費助成事業
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
独立行政法人理化学研究所
研究代表者
平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員
研究期間 (年度)
2012-04-01 – 2015-03-31
終了
キーワード
深紫外LED
/
AlGaN
/
AlN
/
MOCVD
/
Si基板
/
縦型LED
/
光取りだし効率
/
内部量子効率
/
光取り出し効率
/
貫通転位密度
研究成果の概要
深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその
...
4.
窒化物半導体を用いた深紫外LED・深紫外LDの開発
研究課題
レコードセット
科学研究費助成事業
ファンディング機関
科学研究費助成事業
研究種目
若手研究(B)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
独立行政法人理化学研究所
研究代表者
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基礎科学特別研究員
研究期間 (年度)
2010 – 2011
終了
キーワード
DUV-LED
/
AlN
/
AlGaN
/
sapphire
/
MOCVD
/
LED
/
サファイア
/
Si基板
研究概要
サファイアオフ角a軸傾斜基板を用いて高品質AlNの作製、AlGaN量子井戸領域へのSiモジュレーションドーピングにより内部量子効率改善、多重障壁バリア層導入による電子注入効率の向上、各膜厚や膜質の最適化等を行った。その結果、安易に良質なAlN表面平坦な膜を形成できることを明らかにし、波長270nmに
...