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検索結果: 4件 / 研究者番号: 90550327

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  • 1. テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発

    研究課題

    レコードセット 科学研究費助成事業
    ファンディング機関 科学研究費助成事業
    研究種目

    基盤研究(C)

    研究分野 電子デバイス・電子機器
    研究機関 東京理科大学
    研究代表者

    藤代 博記 東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 教授

    研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31終了
    キーワード テラヘルツ領域 / 高電子移動度トランジスタ / HEMT / InGaSb / 電子有効質量 / 格子歪 / 電子移動度 / 遮断周波数 / 極限性能トランジスタ / InSb / ラフネス散乱 / 量子補正モンテカルロシミュレーション / 電子デバイス・機器 / テラヘルツ/赤外材料・素子 / 低消費電力・高エネルギー密度 / 電子・電気材料
    研究成果の概要 電子有効質量me*の最適設計により、界面ラフネス散乱の影響を抑えながら高い電子移動度μeと高い電子濃度Nsを同時に実現するGaInSb量子井戸QWチャネルを作製し、HEMTを試作した。 ...
  • 2. Sb系希薄窒化物半導体の物性解明と高輝度遠赤外線発光素子の創製

    研究課題

    レコードセット 科学研究費助成事業
    ファンディング機関 科学研究費助成事業
    研究種目

    基盤研究(C)

    研究分野 電子・電気材料工学
    研究機関 東京電機大学 (2017)
    東京理科大学 (2015-2016)
    研究代表者

    藤川 紗千恵 東京電機大学, 工学部, 助教

    研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31終了
    キーワード ナローバンドギャップ / 希薄窒化物半導体 / Ⅲ-Ⅴ族半導体 / 遠赤外 / MOCVD / InSbN / LED
    研究成果の概要 本研究では、Ⅲ-V半導体の中で最もエネルギーバンドギャップの小さいInSbに窒素を導入したInSbN希薄窒化物半導体を作製するために、有機金属気相成長法を用いて、GaAs(001)基板上InSbN膜を作製した。材料であるアンモニアの流量を変化させることにより、X線回折の2θ-ω測定において、スペクト ...
  • 3. Si基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外LEDの研究

    研究課題

    レコードセット 科学研究費助成事業
    ファンディング機関 科学研究費助成事業
    研究種目

    基盤研究(A)

    研究分野 応用物性・結晶工学
    研究機関 独立行政法人理化学研究所
    研究代表者

    平山 秀樹 独立行政法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員

    研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31終了
    キーワード 深紫外LED / AlGaN / AlN / MOCVD / Si基板 / 縦型LED / 光取りだし効率 / 内部量子効率 / 光取り出し効率 / 貫通転位密度
    研究成果の概要 深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその ...
  • 4. 窒化物半導体を用いた深紫外LED・深紫外LDの開発

    研究課題

    レコードセット 科学研究費助成事業
    ファンディング機関 科学研究費助成事業
    研究種目

    若手研究(B)

    研究分野 応用物性・結晶工学
    研究機関 独立行政法人理化学研究所
    研究代表者

    藤川 紗千恵 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基礎科学特別研究員

    研究期間 (年度) 2010 – 2011終了
    キーワード DUV-LED / AlN / AlGaN / sapphire / MOCVD / LED / サファイア / Si基板
    研究概要 サファイアオフ角a軸傾斜基板を用いて高品質AlNの作製、AlGaN量子井戸領域へのSiモジュレーションドーピングにより内部量子効率改善、多重障壁バリア層導入による電子注入効率の向上、各膜厚や膜質の最適化等を行った。その結果、安易に良質なAlN表面平坦な膜を形成できることを明らかにし、波長270nmに ...

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