GRANTS - 研究課題統合検索 — 研究者番号: 90550327

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	東京理科大学
研究代表者	藤代博記東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 教授
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2019-03-31終了
キーワード	テラヘルツ領域 / 高電子移動度トランジスタ / HEMT / InGaSb / 電子有効質量 / 格子歪 / 電子移動度 / 遮断周波数 / 極限性能トランジスタ / InSb / ラフネス散乱 / 量子補正モンテカルロシミュレーション / 電子デバイス・機器 / テラヘルツ/赤外材料・素子 / 低消費電力・高エネルギー密度 / 電子・電気材料
研究成果の概要	電子有効質量me*の最適設計により、界面ラフネス散乱の影響を抑えながら高い電子移動度μeと高い電子濃度Nsを同時に実現するGaInSb量子井戸QWチャネルを作製し、HEMTを試作した。 ...

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京電機大学 (2017) 東京理科大学 (2015-2016)
研究代表者	藤川紗千恵東京電機大学, 工学部, 助教
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2018-03-31終了
キーワード	ナローバンドギャップ / 希薄窒化物半導体 / Ⅲ-Ⅴ族半導体 / 遠赤外 / MOCVD / InSbN / LED
研究成果の概要	本研究では、Ⅲ-V半導体の中で最もエネルギーバンドギャップの小さいInSbに窒素を導入したInSbN希薄窒化物半導体を作製するために、有機金属気相成長法を用いて、GaAs（001）基板上InSbN膜を作製した。材料であるアンモニアの流量を変化させることにより、X線回折の2θ-ω測定において、スペクト ...

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(A)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	独立行政法人理化学研究所
研究代表者	平山秀樹独立行政法人理化学研究所, 平山量子光素子研究室, 主任研究員
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31終了
キーワード	深紫外LED / AlGaN / AlN / MOCVD / Si基板 / 縦型LED / 光取りだし効率 / 内部量子効率 / 光取り出し効率 / 貫通転位密度
研究成果の概要	深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその ...

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	若手研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	独立行政法人理化学研究所
研究代表者	藤川紗千恵独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基礎科学特別研究員
研究期間 (年度)	2010 – 2011終了
キーワード	DUV-LED / AlN / AlGaN / sapphire / MOCVD / LED / サファイア / Si基板
研究概要	サファイアオフ角a軸傾斜基板を用いて高品質AlNの作製、AlGaN量子井戸領域へのSiモジュレーションドーピングにより内部量子効率改善、多重障壁バリア層導入による電子注入効率の向上、各膜厚や膜質の最適化等を行った。その結果、安易に良質なAlN表面平坦な膜を形成できることを明らかにし、波長270nmに ...