GRANTS - 研究課題統合検索 — 研究者番号: 70322021

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検索結果: 13件 / 研究者番号: 70322021

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1. 炭化ケイ素半導体を用いたもつれ光子対発生デバイスの実現

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	挑戦的研究(開拓)
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	埼玉大学
研究代表者	土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2022-06-30 – 2025-03-31交付
キーワード	もつれ光子対 / 炭化ケイ素(SiC)半導体 / 単一光子源 / 量子暗号通信

2. 炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
審査区分	小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関	埼玉大学
研究代表者	土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2022-04-01 – 2025-03-31交付
キーワード	炭化ケイ素 / スピン電流 / MOS界面 / 単一光子源 / 偏光

3. 界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(A)
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	東京工業大学
研究代表者	松下雄一郎東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授
研究期間 (年度)	2021-04-05 – 2024-03-31交付
キーワード	SiC / DFT / 電子状態計算 / 界面欠陥 / SiC-MOS / 移動度キラー

4. マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(A)
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	東京工業大学
研究代表者	松下雄一郎東京工業大学, 物質・情報卓越教育院, 特任准教授
研究期間 (年度)	2018-04-01 – 2021-03-31交付
キーワード	SiC / DFT / 欠陥 / 界面 / 移動度 / α-Ga2O3 / 点欠陥 / Pbcセンタ / ダングリングボンド / 単一光子光源 / 酸化 / 第一原理計算 / 密度汎関数理論
研究実績の概要	本年度は以下の大きく4つの成果を得た。
現在までの達成度 (区分)	1: 当初の計画以上に進展している

5. 炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(A)
研究分野	結晶工学
研究機関	国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
研究代表者	大島武国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所先端機能材料研究部, 部長(定常)
研究期間 (年度)	2017-04-01 – 2020-03-31終了
キーワード	量子センシング / 結晶工学 / 格子欠陥 / 半導体物性 / 光物性 / 放射線 / 量子エレクトロニクス
研究成果の概要	本研究では、炭化ケイ素（SiC）中の単一光子源（SPS）の発光やスピン特性を明らかにするとともに、それらSPSの状態制御技術の開発を目的に、a)SPSをSiCデバイス内の任意位置に導入する技術を開発し、光検出磁気共鳴（ODMR）を用いたSPSのスピン制御及びそれを応用した磁場センシングの実証、b)電 ...

6. 炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2019-03-31終了
キーワード	炭化ケイ素(SiC)半導体 / CCD / ガンマ線照射効果 / MOSキャパシタ / 界面準位密度 / 埋込チャネル構造 / イオン注入 / 放射線耐性 / 炭化ケイ素半導体 / 電荷輸送 / バンドギャップ / 埋め込みチャネル構造 / フォトリソグラフィー / 電子・電気材料 / 放射線 / 半導体物性 / 光応答 / 可視光応答 / 反転層形成 / 炭化ケイ素 / 紫外光応答 / 透明電極膜 / アレイ化
研究成果の概要	本研究では高い耐放射線性を有し、高温下でも動作が可能なSiC半導体を用い、CCDを作製することを試みた。まずはSiC MOSキャパシタの光応答、MOSキャパシタアレーにおける電荷輸送といったCCDの基本原理の検証から着手した。その結果、六方晶系SiC基板使用の場合は紫外光に対して、立方晶SiC基板で ...

7. 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31終了
キーワード	炭化ケイ素(SiC)半導体 / 熱酸化 / 積層欠陥 / 転位 / 酸化界面 / SiおよびC原子放出現象 / フォトルミネッセンス / 分光偏光解析 / 炭化ケイ素半導体
研究成果の概要	炭化ケイ素(SiC)半導体の酸化メカニズムのより深い理解を目指し、1)SiC上の酸化膜構造分析、2)酸化処理基板のフォトルミネッセンス・イメージング観察、3)SiC酸化過程の実時間観察等の実験を行った。 ...

8. 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31終了
キーワード	半導体 / 光物性 / エピタキシャル成長 / 量子光学 / 単一光子 / 量子もつれ光子対 / 半導体物性 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光光学 / 応用光学・量子光工学 / 励起子分子 / 原子層ドーピング / 等電子トラップ
研究成果の概要	原子層ドーピングを利用して、窒素原子およびエルビウム原子局所ドーピング構造半導体を作製し、量子情報通信において重要な役割を担う完全ランダム偏光かつ優れた波長再現性を有する単一光子および量子もつれ光子対の高効率生成を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体を用いて、量子もつれ光子対生成に応用できるラ ...

9. 炭化ケイ素半導体MOS構造の界面準位密度低減化プロセスの開発

研究課題

レコードセット	JST事業
ファンディング機関	JST
研究種目	産学が連携した研究開発成果の展開研究成果展開事業研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 探索タイプ
研究責任者	土方泰斗埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2011
研究概要	本研究では、Si-MOSと比べ約2?3桁も高い界面準位密度を有する炭化ケイ素(SiC)半導体MOS構造の、界面準位密度を大幅に低減化するMOS作製プロセスの開発を行う。まず、界面準位発生の大幅な抑制が期待される極薄SiO2膜を低温成長し、この上にSiCが酸化しない程度の低温プロセスによってSiO2膜 ...

10. 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2009 – 2011終了
キーワード	半導体物性 / 光物性 / 応用光学・量子光工学MBE / エピタキシャル / 単一光子 / 結晶工学 / 応用光学・量子光工学 / MBE、エピタキシャル / MBE,エピタキシャル
研究概要	原子層ドーピング技術を用いて局所ドーピング構造半導体を作製し、量子暗号通信などの量子情報技術において重要となる、優れた波長再現性・完全なランダム偏光などの特徴を有する単一光子発生の実現を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体の作製に用いる基板面方位の選択によって量子暗号通信への応用にとって望まし ...

11. テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	若手研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 助教授
研究期間 (年度)	2005 – 2006終了
キーワード	テラヘルツ / 赤外材料・素子 / デバイス設計・製造プロセス / 低消費電力・高エネルギー密度 / モニタリング / 超精密計測
研究概要	炭化珪素(SiC)等のワイドギャップ半導体は,現状では高品質なバルク基板が得られていないため,電子デバイスは通常,バルクウェハ上に成長した厚さ数ミクロン程のエピタキシャル膜を用いて作製する.従って,光を用いた非接触・非破壊物性測定を行うには,バルク基板とエピタキシャル膜の情報を分離する解析手法が必要 ...

12. 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教授
研究期間 (年度)	2005 – 2006終了
キーワード	エピタキシャル / 結晶工学 / 光源技術 / 先端機能デバイス / 光物性 / 単一光子 / 等電子トラップ
研究概要	単一光子発生素子は、量子暗号等、量子情報技術の分野で重要な役割を果たすデバイスと考えられている。そこで、本研究では、単一光子発生素子への応用を目指して、窒素原子や窒素原子対によって形成される等電子トラップが、励起子を束縛する効果に着目して、窒素原子対を基本的な単位構造とする半導体量子ナノ構造を作製し ...

13. IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	吉田貞史埼玉大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2001 – 2002終了
キーワード	IV族半導体 / 炭化珪素(SiC) / 酸化膜 / 界面 / 分光偏光解析 / X線光電子分光 / 紫外光電子分光 / 赤外反射分光 / 分光エリプソメトリ
研究概要	分光偏光解析を用いて酸化膜/SiC界面の解析を行うと同時に、酸化膜形成後の種々の熱処理による変化についても調べ、電気的特性との対応について検討した。特に、SiC上の極薄酸化膜の形成過程および界面のミクロ構造を明らかにし、良好なSiC MOS椿造を形成するための知見を得ることを目的として分光偏光解析で ...