GRANTS - 研究課題統合検索 — 研究者番号: 50239737

検索結果: 23件 / 研究者番号: 50239737

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1. 希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
審査区分	小区分30010:結晶工学関連
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2019-04-01 – 2022-03-31終了
キーワード	太陽電池 / 希釈窒化物半導体 / 第一原理計算 / 電子局在状態 / アップコンバージョン発光 / 二波長励起フォトルミネッセンス / 非発光再結合 / 非発光再結合中心
研究成果の概要	希釈窒化物半導体における電子局在状態を介した２段階光吸収を活用するというアプローチで中間バンド型太陽電池の変換効率向上の可能性を検討した。スーパーセル法に基づく第一原理計算から、GaPN中の窒素原子配列がバンドギャップエネルギーを大きく変化させ、電子局在状態を形成する要因となることが明らかになった。 ...

2. 紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
審査区分	小区分30010:結晶工学関連
研究機関	埼玉大学
研究代表者	鎌田憲彦埼玉大学, 理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2018-04-01 – 2021-03-31終了
キーワード	UV-LED / 青～緑色LED / 欠陥準位 / 非発光再結合 / 禁制帯内励起光 / 青色LED / 緑色LED / 紫外LED / 動作時の欠陥検出 / 高効率化
研究成果の概要	禁制帯エネルギーEg以上の光子エネルギーの励起（Above-Gap Excitation, AGE）光で試料を励起し、Eg以下の禁制帯内励起（Below-Gap Excitation, BGE）光を断続照射する際のフォトルミネッセンス強度変動から、非発光再結合準位の定量評価が可能である。本研究ではA ...

3. 希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	結晶工学
研究機関	金沢工業大学
研究代表者	上田修金沢工業大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31終了
キーワード	希釈窒化物半導体 / 欠陥 / 光照射 / 劣化 / 点欠陥 / 転位 / 電子顕微鏡 / フォトルミネッセンス
研究成果の概要	GaInNAsなどの希釈窒化物半導体を用いた発光デバイスの劣化メカニズムを解明するために、結晶成長時に発生する欠陥を透過電子顕微鏡により評価するとともに、結晶にレーザ光を照射し、欠陥の形成・増殖について調べた。その結果、GaInNAs中には点欠陥クラスタ、転位ループなどの欠陥は観察されなかった。また ...

4. 非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	結晶工学
研究機関	千葉大学
研究代表者	石谷善博千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2017-03-31終了
キーワード	フォノンエンジニアリング / 励起子 / 結晶欠陥 / 窒化物半導体 / 光物性 / フォノンダイナミクス / キャリアダイナミクス / 半導体物性 / 結晶工学 / 格子欠陥 / フォノン / 量子井戸 / 太陽電池 / 発光デバイス / 時間分解PL / 時間分解計測 / フォノン局在制御
研究成果の概要	半導体素子特性を決める多くの過程にフォノンが関わっている。太陽電池のエネルギー変換効率，励起子の生成・解離，非輻射性キャリア再結合などがこれにあたる。熱平衡状態の詳細な電子・正孔‐励起子系の研究があるが，フォノン系，電子系，輻射場を全て含んだ非熱平衡過程の解析は進んでいない。本研究では，材料物性，素 ...

5. 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31終了
キーワード	炭化ケイ素(SiC)半導体 / 熱酸化 / 積層欠陥 / 転位 / 酸化界面 / SiおよびC原子放出現象 / フォトルミネッセンス / 分光偏光解析 / 炭化ケイ素半導体
研究成果の概要	炭化ケイ素(SiC)半導体の酸化メカニズムのより深い理解を目指し、1)SiC上の酸化膜構造分析、2)酸化処理基板のフォトルミネッセンス・イメージング観察、3)SiC酸化過程の実時間観察等の実験を行った。 ...

6. 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31終了
キーワード	半導体 / 光物性 / エピタキシャル成長 / 量子光学 / 単一光子 / 量子もつれ光子対 / 半導体物性 / MBE、エピタキシャル / 応用光学・量子光光学 / 応用光学・量子光工学 / 励起子分子 / 原子層ドーピング / 等電子トラップ
研究成果の概要	原子層ドーピングを利用して、窒素原子およびエルビウム原子局所ドーピング構造半導体を作製し、量子情報通信において重要な役割を担う完全ランダム偏光かつ優れた波長再現性を有する単一光子および量子もつれ光子対の高効率生成を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体を用いて、量子もつれ光子対生成に応用できるラ ...

7. 次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	金沢工業大学
研究代表者	上田修金沢工業大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2010 – 2012終了
キーワード	発光デバイス / 量子ドット / 信頼性 / 劣化 / 結晶成長 / 格子欠陥 / 転位 / 電子顕微鏡 / 長寿命化
研究概要	発光デバイスの究極の寿命を決定する遅い劣化のメカニズムを解明するために、次世代発光デバイス用の新材料および量子ドット構造に外部から光照射を行い、劣化の度合いを評価した。その結果、新材料のGaInNAsでは、顕著な劣化が見られたが、InGaN,AlInGaAsでは、殆ど劣化が見られなかった。また、In ...

8. 高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	尾鍋研太郎東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2010 – 2012終了
キーワード	エピタキシャル成長 / 立方晶窒化物半導体 / 立方晶III-N半導体 / 窒化物半導体 / III-N半導体 / MOVPE / MBE / 半導体物性 / 結晶成長 / 立方晶III族窒化物 / III族窒化物半導体
研究概要	III族窒化物半導体GaN,InN,AlNおよび関連混晶の高相純度立方晶薄膜およびヘテロ構造を、有機金属気相成長法ないし分子線エピタキシー法を用いて実現し、相純度、欠陥性状、発光特性、電気伝導特性などの基礎物性を成長条件との関連において明らかにした。とくに立方晶InNおよびInGaNにおいてはYSZ ...

9. 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2009 – 2011終了
キーワード	半導体物性 / 光物性 / 応用光学・量子光工学MBE / エピタキシャル / 単一光子 / 結晶工学 / 応用光学・量子光工学 / MBE、エピタキシャル / MBE,エピタキシャル
研究概要	原子層ドーピング技術を用いて局所ドーピング構造半導体を作製し、量子暗号通信などの量子情報技術において重要となる、優れた波長再現性・完全なランダム偏光などの特徴を有する単一光子発生の実現を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体の作製に用いる基板面方位の選択によって量子暗号通信への応用にとって望まし ...

10. 有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長

公募研究

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	特定領域研究
審査区分	理工系
研究機関	東京大学
研究代表者	尾鍋研太郎東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2009 – 2010終了
キーワード	結晶工学 / 結晶成長 / MOVPE / 窒化インジウム / 窒化物半導体
研究概要	本研究課題は、平成19～20年度実施の本特定領域研究公募研究課題の「有機N原料によるInN薄膜のMOVPE成長」の成果を受けて、さらに発展させることを意図した。本研究の特徴は、有機N原料を有機金属原料とともに用いること、さらに原料間の付加化合物生成の寄生反応を避けるために原料の分離供給法を採用するこ ...
研究領域	窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

11. 狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	尾鍋研太郎東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2007 – 2009終了
キーワード	エピタキシャル成長 / 希薄窒化物半導体 / III-V-N混晶 / 量子ナノ構造 / 量子ドット / InGaAsN / ジメチルヒドラジン / 自己形成量子ドット / 希薄窒化物
研究概要	InAsN、InGaAsN、InGaPN、InPNなどInをその1成分として含むIII-V-N型混晶半導体による薄膜ないし量子ドット構造をMOVPE法を用いて作製し、結晶成長特性をN濃度との関係において明らかにするとともに、N添加に伴うバンドギャップの縮小効果および発光特性など特徴的な物性を明らかに ...

12. 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	矢口裕之埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教授
研究期間 (年度)	2005 – 2006終了
キーワード	エピタキシャル / 結晶工学 / 光源技術 / 先端機能デバイス / 光物性 / 単一光子 / 等電子トラップ
研究概要	単一光子発生素子は、量子暗号等、量子情報技術の分野で重要な役割を果たすデバイスと考えられている。そこで、本研究では、単一光子発生素子への応用を目指して、窒素原子や窒素原子対によって形成される等電子トラップが、励起子を束縛する効果に着目して、窒素原子対を基本的な単位構造とする半導体量子ナノ構造を作製し ...

13. IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	埼玉大学
研究代表者	吉田貞史埼玉大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2001 – 2002終了
キーワード	IV族半導体 / 炭化珪素(SiC) / 酸化膜 / 界面 / 分光偏光解析 / X線光電子分光 / 紫外光電子分光 / 赤外反射分光 / 分光エリプソメトリ
研究概要	分光偏光解析を用いて酸化膜/SiC界面の解析を行うと同時に、酸化膜形成後の種々の熱処理による変化についても調べ、電気的特性との対応について検討した。特に、SiC上の極薄酸化膜の形成過程および界面のミクロ構造を明らかにし、良好なSiC MOS椿造を形成するための知見を得ることを目的として分光偏光解析で ...

14. 青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	北陸先端科学技術大学院大学
研究代表者	増田淳北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手
研究期間 (年度)	1998 – 1999終了
キーワード	青色半導体レーザ / 強誘電体光導波路 / 窒化物系半導体 / 酸化物強誘電体 / レーザアブレーション / エピタキシャル成長 / 酸化マグネシウム / 耐酸化性 / 窒化物半導体 / バッファ層 / チタン酸ジルコン酸鉛
研究概要	青色半導体レーザと酸化物強誘電体光導波路の集積化により、表面弾性波を用いた一体型青色レーザスキャナなどの新規光学素子を開発することを目的に、青色半導体レーザ材料である窒化ガリウム(GaN)上に酸化物強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を形成することを試みた。その結果、(100)面のガリウ ...

15. 非対称構造半導体量子井戸の2次非線形光学特性の研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用光学・量子光工学
研究機関	東京大学
研究代表者	近藤高志東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手
研究期間 (年度)	1996終了
キーワード	非線形光学 / 波長変換 / 光第2高調波発生 / 差周波発生 / 半導体量子井戸 / 非対称構造 / 励起子共鳴
研究概要	1.参照用試料(GaAs)の評価

16. シリコン・ゲルマニウム規則混晶からの光第二高調波発生に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	矢口裕之東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手
研究期間 (年度)	1996終了
キーワード	分子線エピタキシ- / 固体ソース / 光第2高調波発生 / シリコン / ゲルマニウム / 分子線セル / 短周期超格子 / ヘテロ構造
研究概要	Si分子線セルの検討

17. 新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(B)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	白木靖寛東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授
研究期間 (年度)	1996 – 1997終了
キーワード	SiGe / AlGaP / 間接遷移型半導体 / 隣接閉じ込め構造 / 無フォノン発光 / シリコンゲルマニウム / アルミニウムガリウム燐
研究概要	本研究においては、間接遷移型半導体に、さまざまな超構造を導入するとこにより、材料固有の性質を人為的に変化させ、光学遷移確率を増大させることを、SiGe/Si系、AlGap系という、二種類の典型的な間接遷移型半導体に対して試みた。特に、電子と正孔を空間的に分離して閉じ込める「隣接閉じ込め構造」について ...

18. 分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	基盤研究(A)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	伊藤良一東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
研究期間 (年度)	1996 – 1998終了
キーワード	非線形光学 / 波長変換 / 光第2高調波発生 / 化合物半導体 / 分極反転 / 副格子交換 / 疑似位相整合 / アンチフェイズドメイン / 差調波発生 / 差周波発生
研究概要	1. 分極反転エピタクシーの実証 ...

19. 歪導入による半導体量子ナノ構造の偏光特性の制御

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	一般研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	矢口裕之東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手
研究期間 (年度)	1995終了
キーワード	半導体量子細線 / 半導体レーザ / 歪 / 偏光 / 有機金属気相エピタキシ-
研究概要	本研究の主たる目的は,引っ張り歪の導入によって半導体量子細線構造における発光の偏光特性の制御が可能であることを実証することにある。そこでまず最初にGaAsP/AlGaAs量子井戸を作製し,引っ張り歪を導入して発光の偏光特性を制御できることを実験的に検証した。

20. ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現

研究課題

レコードセット	科学研究費助成事業
ファンディング機関	科学研究費助成事業
研究種目	一般研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	東京大学
研究代表者	矢口裕之東京大学, 工学部, 助手
研究期間 (年度)	1994終了
キーワード	半導体超格子 / フォトリフレクタンス / フォトルミネッセンス / ガリウム砒素リン / バンドラインアップ
研究概要	本研究で取り扱った砒素リン系半導体超格子構造においては、ガリウム砒素に近い組成領域では室温でレーザ発振するほどの高品質なものが得られているが、ガリウムリンに近い組成領域では間接遷移型半導体であり、しかもバンドラインアップが、電子と正孔が別々に閉じ込められるようなタイプIIであるという実験結果があるた ...

研究期間 (年度)

1. 希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開 研究課題

矢口 裕之 埼玉大学, 理工学研究科, 教授

2. 紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立 研究課題

鎌田 憲彦 埼玉大学, 理工学研究科, 教授

3. 希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究 研究課題

上田 修 金沢工業大学, 工学研究科, 教授

4. 非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開 研究課題

石谷 善博 千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授

5. 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明 研究課題

土方 泰斗 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授

6. 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御 研究課題

矢口 裕之 埼玉大学, 理工学研究科, 教授

7. 次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究 研究課題

上田 修 金沢工業大学, 工学研究科, 教授

8. 高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用 研究課題

尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授

9. 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究 研究課題

矢口 裕之 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授

10. 有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長 公募研究

尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授

11. 狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用 研究課題

尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授

12. 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製 研究課題

矢口 裕之 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教授

13. IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究 研究課題

吉田 貞史 埼玉大学, 工学部, 教授

14. 青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製 研究課題

増田 淳 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手

15. 非対称構造半導体量子井戸の2次非線形光学特性の研究 研究課題

近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手

16. シリコン・ゲルマニウム規則混晶からの光第二高調波発生に関する研究 研究課題

矢口 裕之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手

17. 新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究 研究課題

白木 靖寛 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授

18. 分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用 研究課題

伊藤 良一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授

19. 歪導入による半導体量子ナノ構造の偏光特性の制御 研究課題

矢口 裕之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手

20. ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現 研究課題

矢口 裕之 東京大学, 工学部, 助手

1. 希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開

研究課題

矢口裕之埼玉大学, 理工学研究科, 教授

2. 紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立

研究課題

鎌田憲彦埼玉大学, 理工学研究科, 教授

3. 希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究

研究課題

上田修金沢工業大学, 工学研究科, 教授

4. 非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開

研究課題

石谷善博千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授

5. 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明

研究課題

土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授

6. 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

研究課題

矢口裕之埼玉大学, 理工学研究科, 教授

7. 次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究

研究課題

上田修金沢工業大学, 工学研究科, 教授

8. 高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

研究課題

尾鍋研太郎東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授

9. 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

研究課題

矢口裕之埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授

10. 有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長

公募研究

尾鍋研太郎東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授

11. 狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用

研究課題

尾鍋研太郎東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授

12. 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

研究課題

矢口裕之埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教授

13. IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究

研究課題

吉田貞史埼玉大学, 工学部, 教授

14. 青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製

研究課題

増田淳北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手

15. 非対称構造半導体量子井戸の2次非線形光学特性の研究

研究課題

近藤高志東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手

16. シリコン・ゲルマニウム規則混晶からの光第二高調波発生に関する研究

研究課題

矢口裕之東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手

17. 新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究

研究課題

白木靖寛東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授

18. 分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用

研究課題

伊藤良一東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授

19. 歪導入による半導体量子ナノ構造の偏光特性の制御

研究課題

矢口裕之東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手

20. ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現

研究課題

矢口裕之東京大学, 工学部, 助手