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研究期間 (年度)
-
検索結果: 2件 / 研究者番号: 00838039
表示件数:
20
50
100
200
500
適合度
研究開始日: 新しい順
研究開始日: 古い順
配分額合計: 多い順
配分額合計: 少ない順
1.
次世代デジタル技術を指向した電子間交換相互作用にもとづくバトンリレー型スピン中継
研究課題
レコードセット
科学研究費助成事業
ファンディング機関
科学研究費助成事業
研究種目
挑戦的研究(開拓)
審査区分
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関
埼玉大学
研究代表者
酒井 政道
埼玉大学, 理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2021-07-09 – 2025-03-31
交付
キーワード
交換相互作用
/
近藤効果
/
スピン流
/
電子-正孔補償金属
/
排他的論理和ゲート
/
スピン注入
研究実績の概要
リレー走者が次の走者にバトンを手渡すように、電子間でスピンを受渡すことによって、スピン情報を輸送することができるのであれば、スピン反転は必ずしもデメリットではない。私たちは、スピン依存型電子間相互作用を使って、バトンリレー型スピン中継機能を次世代型デジタル論理演算のデザインへと適用することで、新たな
...
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
2.
半金属材料をチャネルとする電荷-スピン偏極度制御型スピン電界効果トランジスタ
研究課題
レコードセット
科学研究費助成事業
ファンディング機関
科学研究費助成事業
研究種目
若手研究
審査区分
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究機関
埼玉大学
研究代表者
吉住 年弘
埼玉大学, 理工学研究科, 助教
研究期間 (年度)
2020-04-01 – 2023-03-31
交付
キーワード
スピン電界効果トランジスタ
/
半金属材料
/
スピン偏極度制御
研究実績の概要
本研究では電子と正孔のキャリア濃度が漸近する材料をチャネルに用いたスピン電界効果トランジスタ(スピンFET)におけるメインキャリアおよびスピン偏極度への電界効果を研究している。本研究において昨年度までに、膜厚が2nmから100nm程度の膜厚範囲でイッテルビウム(Yb)膜を成膜し、それをチャネルとする
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現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している